
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一種復(fù)åˆåž‹çš„功率åŠå°Ž(dÇŽo)體器件,被廣泛應(yÄ«ng)用于電力電åé ˜(lÇng)域,如電機(jÄ«)控制ã€è®Šé »å™¨ã€é€†è®Šå™¨ç‰ã€‚IGBTé›»æºæ˜¯æŒ‡ä½¿ç”¨IGBT作為主è¦åŠŸçŽ‡å™¨ä»¶çš„é›»æºç³»çµ±(tÇ’ng)。IGBTé›»æºå…·æœ‰ä»¥ä¸‹å„ª(yÅu)點(diÇŽn):
:IGBTé›»æºå¯ä»¥å¯¦(shÃ)ç¾(xià n)的轉(zhuÇŽn)æ›ï¼Œæ¸›å°‘能é‡æ耗,æ高系統(tÇ’ng)的整體效率。
高功率密度:IGBTé›»æºå¯ä»¥å¯¦(shÃ)ç¾(xià n)高功率密度的è¨(shè)計(jì),減å°ç³»çµ±(tÇ’ng)çš„é«”ç©å’Œé‡é‡ï¼Œæ高系統(tÇ’ng)çš„å¯é 性和穩(wÄ›n)定性。
高å¯æŽ§æ€§ï¼šIGBTé›»æºå¯ä»¥å¯¦(shÃ)ç¾(xià n)çš„é›»æµå’Œé›»å£“控制,å¯ä»¥å¯¦(shÃ)ç¾(xià n)å„種控制ç–略,如電æµæŽ§åˆ¶ã€é›»å£“控制ç‰ã€‚
高å¯é 性:IGBTé›»æºå…·æœ‰é«˜å¯é 性和長(zhÇŽng)壽命,å¯ä»¥æ»¿è¶³å„種工æ¥(yè)應(yÄ«ng)用的è¦æ±‚。
總之,IGBTé›»æºæ˜¯ä¸€ç¨®ã€é«˜åŠŸçŽ‡å¯†åº¦ã€é«˜å¯æŽ§æ€§å’Œé«˜å¯é 性的電æºç³»çµ±(tÇ’ng),被廣泛應(yÄ«ng)用于電力電åé ˜(lÇng)域。